特許
J-GLOBAL ID：200903063623748348

放熱基板および発光ダイオード用基板

発明者：
村上 睦明

村上 睦明 について

, 
西川 泰司

西川 泰司 について

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若原 修平

若原 修平 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-310046
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123348
出願日： 2005年10月25日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】LEDや高密度LSIにおける発熱が素子機能を低下させる。特にLEDを高輝度・高出力用途で用いる場合、発熱量の増加に伴い発光効率、寿命が低下することを防止する手段を提供する。【解決手段】基板を、少なくとも等方的熱伝導層16、17と異方的熱伝導層15よりなる2層以上の構成とし、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きく、かつその異方性が10倍以上とする事で、LEDチップから発生する熱を効率良く放熱する。また、前記異方性熱伝導層を熱伝導性の異方性を有するグラファイト層とし、層面方向の熱伝導度が200W/mK以上であるグラファイトを用いる。駆動電流を増やしてもLEDチップの発光効率低下させず、長寿命化が可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも等方的熱伝導層と、異方的熱伝導層とを、含む2層以上の放熱基板であって、 異方的熱伝導層における熱伝導度の異方性が10倍以上であり、 異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きい、放熱基板。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L23/36 C ,  H01L33/00 N
Fターム (22件)：
5F041AA33 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA46 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F136BB03 ,  5F136BB05 ,  5F136DA13 ,  5F136EA12 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA12 ,  5F136FA23 ,  5F136FA75 ,  5F136FA82 ,  5F136GA21
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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