特許

J-GLOBAL ID：200903063641201143

薄膜トランジスタ

発明者： 加藤 久人 ,  川上 春雄 ,  前田 賢彦 ,  関根 伸行
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (5件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-326085
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134496
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】 活性層としてアモルファス酸化物半導体を用いても、高いオンオフ比を安定して実現することができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタは、ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層13と、この活性層13に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極14およびドレイン電極15とを備えたことを特徴とする。ソース電極14およびドレイン電極15は、クロム、鉄、モリブデン、タングステン、銅、ルテニウムおよびレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有することが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層と、この活性層に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M

Fターム (46件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道

審査官引用 (4件)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-304089   出願人：凸版印刷株式会社