レジストマスク構造、化学増幅レジストの感度促進方法およびパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030212
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231544
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】化学増幅レジスト膜の感度を高める。【解決手段】化学増幅レジスト膜14と、放射線の照射によりこの化学増幅レジスト膜の感度を促進するための感度促進膜12とからなること。

請求項（抜粋）：

化学増幅レジスト膜と、放射線の照射に起因して該化学増幅レジスト膜の感度を促進するための感度促進膜とからなることを特徴とするレジストマスク構造。

IPC (5件)：

G03F 7/095 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/095 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

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