特許
J-GLOBAL ID：200903063751225358

強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリ

発明者：
日 高 修

日 高 修 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309162
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127264
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタの上に形成する配線層の電極の酸化を防ぐことができる強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 コンタクト層や配線層よりも酸化されやすく、酸化物の比抵抗が低い金属元素から構成される緩衝層を設けることにより、酸化物強誘電体やこれに接触するコンタクト層から解離される酸素を確実に受け止め、金属配線のバリア層などの酸化を確実且つ容易に防ぐことができる。その結果として、電極抵抗の上昇やコンタクト不良を解消することができる。特に酸素を放出しやすいイリジウム電極を用いた場合においてもコンタクト抵抗を低下させ、コンタクト歩留まりを顕著に改善し、さらに、繰り返し書き込み・読み出し特性も優れた強誘電体メモリを提供することができる。
請求項（抜粋）：
第1の電極層と、前記第1の電極層の上に設けられた強誘電体層と、前記強誘電体層の上に設けられ、イリジウム(Ir)またはその酸化物の少なくともいずれかを含有する第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、第2の金属元素またはその酸化物の少なくともいずれかを含有する第2の層と、前記第3の層の上に設けられ、第3の金属元素を主成分とする第3の層と、を備え、前記第2の金属元素は、イリジウムよりも酸化されやすいものであることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651
Fターム (16件)：
5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083GA25 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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