特許
J-GLOBAL ID：200903063891712208

窒化物半導体装置の製造方法

発明者：
出口 忠義

出口 忠義 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-301224
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130010
出願日： 2007年11月21日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】シリコン基板上に厚い窒化物半導体層をエピタキシャル成長しても、シリコン基板に反りや、窒化物半導体層に割れが生じない良好な窒化物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板10上に、窒化アルミニウム層11を成長させる。この窒化アルミニウム層11の一部を除去し、それぞれ区画された複数の小領域を形成する。トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層13を成長させる。シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層13が成長する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウム、及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素からなるV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層を備えた窒化物半導体装置の製造方法において、 シリコン基板上に、窒化アルミニウムあるいは窒化インジウムからなる第1の半導体層を成長させる工程と、 該第1の半導体層の一部を除去し、それぞれ区画された前記第1の半導体層からなる複数の小領域を形成する工程と、 少なくともトリメチルガリウムを含む前記III族元素のトリメチル化合物を成長ガスとして使用し、ガリウムを含む前記III-V族窒化物半導体層からなる第2の半導体層を、前記小領域上に選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (25件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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