特許
J-GLOBAL ID：200903073994508051

III族窒化物半導体の製造方法

発明者：
荻野 慎次

荻野 慎次 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270772
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049180
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】シリコン基板へのIII族窒化物半導体のヘテロエピタキシにおいて、割れを防止する。【解決手段】基板表面に、その上の正常なエピタキシャル成長を阻害するような結晶欠陥を格子状に設け、正常なエピタキシャル膜を小区画に分割して成長させて、内部応力を解放する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
IV族半導体基板上にIII族元素の窒化物半導体をエピタキシャル成長する方法において、IV族半導体基板の表面層に、結晶欠陥の多い領域を格子状に形成した後、エピタキシャル成長することにより、多数の区画された結晶性の良好な小領域を得ることを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DB08 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN32 ,  5F152LN34 ,  5F152LN35 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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