特許
J-GLOBAL ID：200903063904126362
荷電粒子源および荷電粒子ビーム装置並びに不良解析方法および半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312473
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】集束荷電粒子ビームを用いた微細な加工や分析において、アパーチャを用いることなく荷電粒子ビーム電流を制御することができ、しかもビーム電流を連続的に制御でき、また、異物や不純物を発生しない集束荷電粒子ビーム装置を実現する。また、これと分析機器により半導体製造ラインの不良解析行って高品質の半導体デバイスを高歩留まりで製造できるようにした。【解決手段】半同軸共振器1内に設けた可動中心導体(半同軸部分)3を調整することにより、その可動中心導体3内部に設置したプラズマチャンバ8内ガスをプラズマ7化する。さらに可動中心導体3内部に設けた高周波アンテナ4からの高周波電力の調整によって、イオンビーム電流を数pA〜数nAまで制御する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波を共振させる半同軸共振器と、該半同軸共振器の半同軸部分に対向する空洞部分に設置され、プラズマ化するガスが導入されるプラズマチャンバと、該プラズマチャンバ内に前記半同軸共振器によって共振されたマイクロ波電力を導入するマイクロ波電力導入窓と、前記プラズマチャンバ内に高周波電力を導入する高周波アンテナと、前記プラズマチャンバ内でプラズマ化された荷電粒子を引き出す引き出し電極とを備えたことを特徴とする荷電粒子源。
IPC (4件)：
H01J 27/16
, H01J 37/08
, H01J 37/28
, H01L 21/027
H01J 27/16
, H01J 37/08
, H01J 37/28 Z
, H01L 21/30 541 B
