荷電粒子を用いた微細加工方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024414
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222175
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】試料の微細加工を荷電粒子を用いて極めて効率良く行なうことができる新規な微細加工方法及び装置を提供する。【構成】試料6と荷電粒子源1との間にマスク2を介在させ、マスク2を透過した荷電粒子による加工パターン像を試料6の所望領域に投影し、パターン結像領域に反応ガスを供給することによって試料6を直接加工する。荷電粒子源1として、電子源又はイオン源を用いる。反応ガスは、試料に対して選択的なエッチング加工を行なうための反応ガス又は試料に対して選択的なデポジション加工を行なうための反応ガスである。

請求項（抜粋）：

所望の加工用パターンを形成したマスクに荷電粒子を照射し、透過した荷電粒子によるパターン像を試料(被加工物)の所望領域に投影するとともに、試料のパターン結像領域に反応ガスを供給することによって微細加工を行なうことを特徴とする微細加工方法。

IPC (3件)：

H01J 37/305 , H01J 37/08 , H01J 37/317

FI (3件)：

H01J 37/305 A , H01J 37/08 , H01J 37/317 C

引用特許：

審査官引用 (14件)

構造体の欠陥修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-274491 出願人：株式会社東芝
特開平3-082110
薄膜加工装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-088908 出願人：株式会社日立製作所

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