表示装置とその製造法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130683
公開番号（公開出願番号）：特開平10-054999
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコンをスイッチング素子の半導体層として用いた、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、上記スイッチング素子のリーク電流を防止し、駆動電流が大きく且つサブスレッシュホールド領域の電流の立ち上がり特性の向上を図り、高画素、高精細な画像表示を実現する。【解決手段】シリコン窒化膜102からなる絶縁層の表面を酸化してシリコン酸化膜111からなる表面粗さが2nm以下の絶縁層を形成し、その上に多結晶シリコン層を形成してTFTを構成する。

請求項（抜粋）：

複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板と、該基板に対向配置する対向電極を有した対向基板との間に液晶を挟持してなる表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板において、上記薄膜トランジスタが、表面粗さが2nm以下である絶縁層上に設けた多結晶シリコン層を半導体層として有し、前記半導体層上にゲート電極を有することを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜状半導体素子およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238714 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137319 出願人：キヤノン株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137320 出願人：キヤノン株式会社

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