特許
J-GLOBAL ID：200903064036418919

光電変換素子および電子装置

発明者：
鈴木 祐輔

鈴木 祐輔 について

, 
諸岡 正浩

諸岡 正浩 について

, 
野田 和宏

野田 和宏 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347967
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116302
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 太陽光の利用効率が極めて高く、良好な光電変換特性を有する光電変換素子を得る。 【解決手段】 光吸収粒子に加えて光散乱粒子を含む金属酸化物半導体層3からなる半導体電極と、導電性高分子および/またはカーボン系材料を用いた対極6とを互いに対向させ、それらの間に電解質層7を設けて色素増感型太陽電池などの光電変換素子を構成する。金属酸化物半導体層3としてはTiO2 などを用いる。光散乱粒子の粒径は20〜1000nm、光吸収粒子の粒径は1〜200nmとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光散乱粒子を含む半導体電極と、 導電性高分子および/またはカーボン系材料を用いた対極とを有する ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (17件)：
5F051AA14 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA07 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH04
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (11件)
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