特許
J-GLOBAL ID:200903064056363568

パワー半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-070255
公開番号(公開出願番号):特開2006-253516
出願日: 2005年03月14日
公開日(公表日): 2006年09月21日
要約:
【課題】 パワー半導体装置の端子と絶縁基板上の回路とを接続するハンダ部分の信頼性を高めること。【解決手段】 本発明のパワー半導体装置は、端子の絶縁基板上の金属回路に接合する部分の厚さを、主電流が通流する端子の他の部分の厚さより薄くしたり、端子の絶縁基板上の金属回路に接合する部分をスリットで分割して、接合部にかかる応力を低減した。本発明のパワー半導体装置本発明によれば、ハンダ接続部の信頼性を向上し、モジュール内部の配線が短くできるので、配線抵抗を低くし、配線のインダクタンスも低くできる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
底面に金属基板を備え、側面部と上面部とが有機樹脂で囲まれ、内部に複数の電力半導体素子を搭載し、前記底面の金属基板と電力半導体素子との間に絶縁回路基板を配置し、金属導体板の一端を折り曲げて前記絶縁回路基板に接合部材を介して接続した内部絶縁型のパワー半導体装置において、 該金属導体板が他端を外部導体に接続する金属端子であって、前記一端と他端との間に複数の屈曲部を有する応力緩和部を備え、前記絶縁回路基板に接続している一端の厚さが、該応力緩和部の厚さより薄いことを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開昭62-104058号公報(第2図と第3図の記載)
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-008499   出願人:株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-214119   出願人:三菱電機株式会社
  • パワー半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-275841   出願人:株式会社日立製作所
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