特許
J-GLOBAL ID:200903064122728165

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  武藤 正
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-060573
公開番号(公開出願番号):特開2008-228398
出願日: 2007年03月09日
公開日(公表日): 2008年09月25日
要約:
【課題】複数の電力変換器を有する電力変換装置において、各電力変換器を構成する半導体素子の温度上昇を抑制する。【解決手段】インバータモジュール150Aは、第1の電気負荷を駆動する第1のインバータと第2の電気負荷を駆動する第2のインバータとが共通の絶縁基板210上に搭載されてなる。第1のインバータにおいて、U,V,W相のアームは、絶縁基板210上に、図面左右方向に隣接するアームが同図上下方向に互いにずらされて配置される。第2のインバータにおいて、U,V,W相のアームは、絶縁基板210上に、同図左右方向に隣接するアームが同図上下方向に互いにずらされて配置される。さらに、第1のインバータのアームと第2のインバータのアームとは、同図左右方向に沿って隣接するように配置される。かかる配置構成により、絶縁基板210の占有面積を増やすことなく、面内方向における温度分布を均一化できる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
複数の第1の半導体素子のスイッチング制御により第1の電気負荷を駆動する第1の電力変換器と、 複数の第2の半導体素子のスイッチング制御により第2の電気負荷を駆動する第2の電力変換器とを備え、 前記複数の第1の半導体素子は、各々が、少なくとも1つの第1の半導体素子を含んで構成される複数の第1の半導体素子群に編成され、 前記複数の第2の半導体素子は、各々が、少なくとも1つの第2の半導体素子を含んで構成される複数の第2の半導体素子群に編成され、 前記複数の第1の半導体素子群は、基板上に、第1の方向に整列配置されるとともに、少なくとも一部において、前記第1の方向に隣接する第1の半導体素子群が前記第1の方向に垂直な第2の方向に互いにずらされて配置され、 前記複数の第2の半導体素子群は、前記基板上に、前記第1の方向に整列配置されるとともに、少なくとも一部において、前記第1の方向に隣接する第2の半導体素子群が前記第2の方向に互いにずらされて配置され、かつ、前記第1の方向に沿って前記第1の半導体素子群と隣接するように配置される、電力変換装置。
IPC (1件):
H02M 7/48
FI (1件):
H02M7/48 Z
Fターム (13件):
5H007AA06 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007CC12 ,  5H007CC23 ,  5H007DB13 ,  5H007HA00 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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