絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022914
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】本発明の目的は、液体冷媒によって冷却できる構造を摩擦攪拌接合によって接合可能な構造とし、放熱特性が良く、高信頼度を有する絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造を提供することにある。【解決手段】本発明は、銅又は銅合金よりなる回路板、セラミックス基板及び銅又は鋼合金よりなる放熱板が順次ろう材で接合された絶縁回路基板において、放熱板はその全外周部を除き複数の平板状フィン又は棒状フィンを有し、平板状フィンの並びの両外側に前記フィンより厚肉の平板部が一体に形成されていること、又棒状フィンの並びの一方の両外側に棒状フィンの径より厚肉の平板部が一体に形成されていることを特徴とする。又、本発明は、絶縁回路基板の回路板に半導体パワー素子が搭載されたパワー半導体装置よりなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属よりなる回路板、セラミックス基板及び金属よりなる放熱板が順次ろう材で接合された絶縁回路基板において、前記放熱板はその全外周部を除き複数の平板状フィン又は棒状フィンを有することを特徴とする絶縁回路基板。

IPC (4件)：

H01L23/36 , H01L23/473 , H05K1/02 , H05K7/20

FI (6件)：

H01L23/36 C , H05K1/02 F , H05K7/20 C , H05K7/20 N , H01L23/46 Z , H01L23/36 Z

Fターム (18件)：

5E322AA05 , 5E322AA11 , 5E322AB02 , 5E322AB08 , 5E338AA01 , 5E338AA18 , 5E338BB61 , 5E338CC08 , 5E338CD23 , 5E338EE02 , 5F036AA01 , 5F036BA05 , 5F036BA23 , 5F036BB05 , 5F036BB08 , 5F036BB43 , 5F036BC06 , 5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (6件)

冷却装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327324 出願人：株式会社東芝
電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-145393 出願人：株式会社日立製作所
LSI用ヒートシンク
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-321781 出願人：蛇の目ミシン工業株式会社

全件表示

前のページに戻る