特許
J-GLOBAL ID：200903064129886459
回路モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新井 信昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-186084
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288610
出願日： 2008年07月17日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】実装する要素部品に対するシールド性を有すると共に小型化と低コスト化を図ることができる回路モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層14を形成する封止樹脂層形成の後に、集合基板の上面方向から封止樹脂層を分離ラインに沿って封止樹脂層から集合基板に至る溝20をハーフカットすることにより形成する。溝を埋設するように導電性樹脂19を流し込んで封止樹脂層14の上にシールド層19を形成し、ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる。導電性樹脂が封止樹脂層の側面及び集合基板のハーフカット面を被覆するので、高いシールド効果が得られる。分離ラインに沿った一括カットを採用したので、分離作業が簡単な分だけ低コストを図ることができる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を形成する集合基板製造工程と、
当該集合基板上面に要素部品を実装する要素部品実装工程と、
要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
当該集合基板の上面方向から当該封止樹脂層を分離ラインに沿って当該封止樹脂層から当該集合基板に至る溝をハーフカットすることにより形成するハーフカット工程と、
当該溝を埋設するように導電性樹脂を流し込んで当該封止樹脂層の上にシールド層を形成するシールド層形成工程と、
当該ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる分離工程と、からなる
ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L21/56 R
, H01L23/28 B
, H01L23/30 B
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109CA05
, 4M109CA12
, 4M109EE07
, 4M109EE13
, 5F061AA02
, 5F061BA04
, 5F061CA05
, 5F061CA12
, 5F061CB13
, 5F061DE03
出願人引用 (1件)
-
混成集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-257106
出願人：富士ゼロックス株式会社
審査官引用 (6件)
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