特許
J-GLOBAL ID：200903056325403048
近接場光露光用マスクおよびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005168
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、近接場光をフォトレジスト等の被露光物に十分な強度で照射可能とし、また遮光膜が薄いことによるカブリや耐久性の問題を解決する。【解決手段】 露光光に対して透明であるマスク母材20の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜21が形成されてなる近接場光露光用マスク25において、マスク母材20の一表面20aに所定形状の複数の溝20bを形成し、これらの溝20bに挟まれる部分にマスク開口部となる母材凸部20cを形成する。そして溝20bの部分に遮光膜21を埋め込み、この遮光膜21の表面とマスク母材20の一表面20aとの段差を50nm以下とする。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、前記マスク母材の一表面に所定形状の複数の溝が形成されて、この溝に挟まれる部分に前記開口部となる母材凸部が形成され、前記溝の部分に遮光膜が埋め込まれ、この遮光膜の表面と前記マスク母材の一表面との段差が50nm以下とされていることを特徴とする近接場光露光用マスク。
IPC (3件)：
G03F 1/14
, G03F 1/08
, H01L 21/027
G03F 1/14 A
, G03F 1/08 L
, H01L 21/30 502 P
2H095BA03
, 2H095BA04
, 2H095BB15
, 2H095BB27
, 2H095BC08
, 2H095BC10
, 2H095BC27
, 2H095BC28
