特許
J-GLOBAL ID：200903064190545818
酸化アルミニウム薄膜、該酸化アルミニウム薄膜の形成方法、該酸化アルミニウム薄膜を用いた光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205508
公開番号（公開出願番号）：特開平11-036098
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：
【要約】【目的】 アモルファス構造を有し、半導電性であって、被覆性に優れ、電子デバイスの構成材料として好適に使用できる酸化アルミニウム薄膜を提供する。【構成】 アルミニウム基体(103)を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液(102)に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極(104)に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
請求項（抜粋）：
アルミニウム基体を、少なくとも硝酸イオンとアルミニウムイオンとを含有してなる水溶液に浸漬して、該水溶液中に浸漬された対向電極に対して、負の電流を印加することにより前記アルミニウム基体上に形成された酸化アルミニウム薄膜。
IPC (4件)：
C25D 11/04 303
, C25D 11/06
, H01L 31/04
, C01F 7/42
C25D 11/04 303
, C25D 11/06 B
, C01F 7/42
, H01L 31/04 H
