特許

J-GLOBAL ID：200903064214395731

窒化ガリウム基III-V族化合物半導体発光ダイオードとその製造方法

発明者： 洪 詳 竣 ,  黄 振 斌 ,  易 乃 冠
出願人/特許権者： 炬▲しん▼科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002939
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197505
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】素子内部で放射した光の散乱放射率を大幅に向上するGaN系発光素子を提供する。【解決手段】サファイアまたは炭化珪素(SiC)製基板上に緩衝層を形成した後、この緩衝層上にn-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長する第1工程と、前記n-GaN系エピタキシャル沈殿層の上にマルチ量子井戸活性層を形成する第2工程と、前記マルチ量子井戸活性層の上にp-GaN(p-GaN-based)系のエピタキシャル沈殿層を成長した後、エッチング法により、一部のn-GaN層の表面と、一部のマルチ量子井戸活性層と、一部のp-GaN層とを取り除くことによって、n-GaN層に露出面を形成させる第3工程と、エッチングした後に残ったp-GaN層の上に、エピタキシャル方式により適当な厚さを有するZnO系窓層を成長させることで、好適な光取出層が形成された第4工程とを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

サファイアまたは炭化珪素を基板とし、前記基板の上面に緩衝層を形成した後、n-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長する第1工程と、 前記n-GaN系エピタキシャル沈殿層の上にマルチ量子井戸活性層を形成する第2工程と、 前記マルチ量子井戸活性層の上にp-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長した後、エッチング法により一部のn-GaN層の表面と、一部のマルチ量子井戸活性層と、一部のp-GaN層と、を取り除くことによって、n-GaN層に露出面を形成させる第3工程と、 エッチングした後に残ったp-GaN層の上に、エピタキシャル方式により適当な厚さを有するZnO系窓層を成長させることによって、好適な光取出層を形成させる第4工程と、を含み、 これにより、n-GaN層の露出面の上にnタイプ金属電極を設置することができ、且つZnO系窓層の上にpタイプ金属電極を設置することができるので、発光ダイオードによる発光デバイスが形成されたことを特徴とする窒化ガリウム基III-V族化合物半導体発光ダイオードの製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064003   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-366803   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法、および窒化物系半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186544   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322692   出願人：株式会社東芝