スパッタリングタ-ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160332
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】耐食性や熱特性に優れるMn合金からなる反強磁性体膜をスパッタ法で成膜するにあたって、反強磁性体膜の膜組成や膜質の安定化を図ることが可能なスパッタリングターゲットが求められている。そのようなスパッタリングターゲットを用いることによって、室温および高温域で十分な交換結合力が安定して得られる反強磁性体膜を再現性よく形成することを可能にする。【解決手段】実質的に、Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも 1種のR元素と、Mnとからなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット中の酸素含有量を 1重量% 以下(0を含む)とする。反強磁性体膜3は、このようなスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなるものである。反強磁性体膜3は例えば強磁性体膜4と積層して交換結合膜2として用いられ、このような交換結合膜2は磁気抵抗効果素子などに使用される。

請求項（抜粋）：

実質的に、Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも 1種のR元素と、Mnとからなるスパッタリングターゲットであって、酸素含有量が 1重量% 以下(0を含む)であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/06 , G11B 5/39

FI (3件)：

C23C 14/34 A , C23C 14/06 N , G11B 5/39

Fターム (7件)：

4K029BA21 , 4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029DC04 , 5D034BA05 , 5D034CA08 , 5D034DA05

引用特許：

審査官引用 (9件)

磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203549 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-151867 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
交換結合膜および磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220714 出願人：株式会社東芝

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