有機絶縁膜及びその製造方法及び有機絶縁膜を用いた半導体装置及びその製造方法。

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006285
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221275
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】現在、一般的に検討されているSiCやSiCNは比誘電率が4.5から5程度、SiOCは2.8から3.0程度である。デバイスの縮小化により、配線サイズと配線間隔の微細化が更に進むと、比誘電率の更なる低減が求められている。また、SiOCとSiCN及び、SiCとのエッチング選択比がちいさいために、エッチングストッパ膜として、SiCN及びSiCを用いた場合、金属配線層の表面が、フォトレジストを除去する際に酸化し、接続抵抗が高くなるという問題がある。【構成】少なくともC/Si比が5以上で、且つ、分子量が100以上の有機シランを原料として形成された、SiOCH、SiCNH及び、SiCHからなる有機絶縁膜、及び、該有機絶縁膜を用いた半導体装置、特に、溝構造を有する半導体装置に関するものである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくともC/Si比が5以上で、且つ、分子量が100以上の有機シランを原料として形成されたことを特徴とする有機絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L21/312 , C08F30/08 , C08G77/60 , H01L21/768

FI (5件)：

H01L21/312 C , C08F30/08 , C08G77/60 , H01L21/90 A , H01L21/90 J

Fターム (62件)：

4J100AP16P , 4J100BA71P , 4J100BA72P , 4J246AA17 , 4J246AA19 , 4J246BB440 , 4J246BB452 , 4J246FA561 , 4J246HA63 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (8件)

層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113469 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-311538 出願人：日本電気株式会社
絶縁膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-083781 出願人：株式会社日立国際電気

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