特許
J-GLOBAL ID：200903072325483802

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置

発明者：
三好 秀典

三好 秀典 について

, 
川村 剛平

川村 剛平 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179054
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 N-H結合含有量の少ない絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ12内に供給し、ウェハW表面にSiCN系膜の厚さ1〜10nm程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハWを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のN-H結合が励起され、解離によりHが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのSiCN系膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
シリコンと炭素と窒素とを主成分として構成され前記窒素に結合する水素を含む絶縁膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜に含まれる窒素水素結合を励起して、前記窒素水素結合を解離させて前記窒素水素結合から水素を除去する水素除去工程と、を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 J
Fターム (47件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F033QQ28 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AE11 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DC64 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (13件)
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