半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274427
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083870
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】低誘電率かつ低Cu拡散性の、ダマシン法に適した、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下層の配線層LLの上に、トレンチホール108及びビアホール109に埋め込まれたCu層107を有する最上層の配線層HLをダマシン法により形成する。ダマシン法で用いるエッチングストッパ膜110には、SiとCとNとを主要元素として含む膜(SiCN系膜)を用いる。このSiCN系のエッチングストッパ膜は、膜中にCHn基を1021〜1022有するように形成され、低誘電率(6以下)かつ低Cu拡散性を示す。従って、配線間容量の小さい、信頼性の高い半導体装置が製造される。

請求項（抜粋）：

複数の溝又は穴を有する低誘電率の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、前記複数の溝又は穴と重なる複数の開口を有し、SiとCとHとを主要元素として含む第2の絶縁層と、前記複数の溝又は穴と前記複数の開口とから形成される複数の配線溝又は穴に埋め込まれた導体層と、を備えた半導体装置において、前記第2の絶縁層は、炭素-水素結合含有基(CHn基(nは1乃至3の整数))を1021〜1022(個/cm3)含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/318 B , H01L 21/90 M

Fターム (70件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR12 , 5F033RR20 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BD03 , 5F058BD06 , 5F058BD09 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-032487 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-158571 出願人：ソニー株式会社
無定形SiNC被膜を蒸着する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-287998 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

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