特許
J-GLOBAL ID：200903070164187679

層間絶縁膜の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について

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菅原 岳

菅原 岳 について

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新井 康司

新井 康司 について

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澤田 和幸

澤田 和幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113469
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033316
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。【解決手段】一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。R1 がフェニル基である有機シリコン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン又はジフェニルジメトキシシランが挙げられ、R1 がビニル基である有機シリコン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン又はジビニルジメトキシシランが挙げられる。
請求項（抜粋）：
一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (8件)：
H01L 21/312 ,  C08G 83/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (9件)：
H01L 21/312 C ,  C08G 83/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 V
Fターム (51件)：
4J031BA05 ,  4J031BA17 ,  4J031BB01 ,  4J031BB02 ,  4J031BB05 ,  4J031BC07 ,  4J031BC13 ,  4J031BD24 ,  4K030AA06 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA61 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS03 ,  5F033SS10 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX34 ,  5F058AC03 ,  5F058AC05 ,  5F058AD05 ,  5F058AD06 ,  5F058AD11 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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