アッシング残渣の洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：細田芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209094
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】アッシング残渣の洗浄性に優れ、かつ金属配線の腐食を生じにくいだけでなく、絶縁膜として多孔質膜を用いた場合にも、洗浄後の半導体用基板からの除去性に優れたアッシング残渣の洗浄方法を提供すること。【解決手段】炭酸アンモニウムを含有し、pHが7以上8.6未満である水溶液を用いるアッシング残渣の洗浄方法。

請求項（抜粋）：

炭酸アンモニウムを含有し、pHが7以上8.6未満である水溶液を用いるアッシング残渣の洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/304 647

FI (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 647 Z , H01L 21/302 104 H , H01L 21/30 572 B

Fターム (10件)：

2H096AA25 , 2H096LA01 , 2H096LA06 , 2H096LA30 , 5F004AA09 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F004FA08 , 5F046MA02 , 5F046MA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183022 出願人：富士写真フイルム株式会社
レジスト残渣除去剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-334202 出願人：岸本産業株式会社
半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-326061 出願人：ソニー株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社

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