半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119248
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314082
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】互いに逆並列接続されたIGBTとダイオードとの半導体領域を単一の半導体基板の中に作り込むと同時に、チップサイズを縮減する。【解決手段】半導体基板100のうち、IGBT領域20にはIGBTに属する半導体領域1,2,3,5が形成され、ダイオード領域21にはダイオードに属する半導体領域1,4が形成される。IGBTとダイオードとは、互いに逆並列に接続されている。IGBT領域20とダイオード領域21との間には、絶縁体16が埋設されたトレンチ15が形成されている。絶縁体16は、ダイオード領域21からIGBT領域20へ流れる逆回復電流を制限する。

請求項（抜粋）：

互いに逆並列接続された縦型のIGBTと縦型のダイオードとを備え、これらIGBTとダイオードとに属する複数の半導体領域が、単一の半導体基板の中に作り込まれている半導体装置であって、前記半導体基板が、一対の主面を有し、当該一対の主面に沿って選択的に規定されるIGBT領域に、前記複数の半導体領域のうち前記IGBTに属するものを備え、前記一対の主面に沿って前記IGBT領域とは異なる領域に選択的に規定されるダイオード領域に、前記複数の半導体領域のうち前記ダイオードに属するものを備えるとともに、前記IGBT領域と前記ダイオード領域との間に選択的に形成されることにより前記IGBT領域と前記ダイオード領域との一方から他方へ流れる電流を制限する電気絶縁性の仕切り部材を備える、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 657

FI (4件)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 652 R , H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 657 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界緩和分離構造を有する逆導通型サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-344125 出願人：東洋電機製造株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315691 出願人：富士電機株式会社
特開平1-300568

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