膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-150364
公開番号（公開出願番号）：特開2001-329217
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、焼成条件による比誘電率の差異が小さく、かつクラック耐性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)、(A-2)、(A-3)それぞれ下記式1、2、3で表される化合物の群から選ばれた少なくとも一種のシラン化合物を加水分解し、縮合した縮合物、(B)シリル化剤ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。Ra(Si)(OR1)4-a・・・・・1Si(OR2)4・・・・・2R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・3(式中RはH、F、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-SiOR5)3-cR6c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)シリル化剤ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (9件)：

C09D183/04 , C01B 33/12 , C08G 77/02 , C08G 77/24 , C08G 77/50 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (9件)：

C09D183/04 , C01B 33/12 C , C08G 77/02 , C08G 77/24 , C08G 77/50 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (58件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072EE07 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH28 , 4G072JJ38 , 4G072KK03 , 4G072NN21 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 4J035AA02 , 4J035AB03 , 4J035BA01 , 4J035BA11 , 4J035CA162 , 4J035EA01 , 4J035HA01 , 4J035HA02 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038DL161 , 4J038HA176 , 4J038JA18 , 4J038JA20 , 4J038JA26 , 4J038JA28 , 4J038JA32 , 4J038JA34 , 4J038JA56 , 4J038JA57 , 4J038JB01 , 4J038JB03 , 4J038JB09 , 4J038JB25 , 4J038JB27 , 4J038JB30 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038MA07 , 4J038MA10 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F058AA02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (8件)

層間絶縁膜形成用材料及び層間絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-307943 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭60-118760
特開平4-184444

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