特許

J-GLOBAL ID：200903064443142430

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置

発明者： 水野 友人 ,  宮内 大助 ,  佐野 正志
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-259777
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080144
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】シンセティックピンド層を用いたCPP-GMR素子において、シンセティックピンド層の反強磁性的結合を強化するとともに、大きな磁気抵抗変化率を実現する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、外部磁界に対して磁化方向が変化するフリー層11と、外部磁界に対して磁化方向が固定されたアウターピンド層9と、膜厚略0.4nmのルテニウムからなる非磁性中間層8と、非磁性中間層8を介してアウターピンド層9と反強磁性的に結合することによって外部磁界に対して磁化方向が固定される、膜厚3nm以上のインナーピンド層7との積層体を有するピンド層と、フリー層11とインナーピンド層7とに挟まれたスペーサ層10とを有し、ピンド層、スペーサ層10、およびフリー層11の各層を略積層方向にセンス電流が流れる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

外部磁界に対して磁化方向が変化するフリー層と、 前記外部磁界に対して磁化方向が固定されたアウターピンド層と、膜厚略0.4nmのルテニウムからなる非磁性中間層と、該非磁性中間層を介して該アウターピンド層と反強磁性的に結合することによって前記外部磁界に対して磁化方向が固定される、膜厚3nm以上のインナーピンド層との積層体を有するピンド層と、 前記フリー層と前記インナーピンド層とに挟まれたスペーサ層とを有し、 該ピンド層、該スペーサ層、および該フリー層の各層を略積層方向にセンス電流が流れる、磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/10

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/30 ,  H01L43/10

Fターム (6件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049DB12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190512   出願人：株式会社東芝
• スピン・バルブ・センサを備えた磁気読取りヘッド、磁気ヘッド組立体、これらの作成方法および磁気ディスク・ドライブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173750   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

審査官引用 (4件)

• 磁気検出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-121896   出願人：アルプス電気株式会社
• 積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127656   出願人：日本電気株式会社
• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-048727   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-246583   出願人：株式会社東芝