特許
J-GLOBAL ID:200903074681819370

磁気検出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-048727
公開番号(公開出願番号):特開2004-186659
出願日: 2003年02月26日
公開日(公表日): 2004年07月02日
要約:
【課題】固定磁性層を適切に磁化固定できるとともに、再生出力の向上を図り、さらには狭ギャップ化等に適切に対応することが可能で、構造が簡単な磁気検出素子を提供する。【解決手段】素子のトラック幅方向中央部には間欠部20cが形成され、反強磁性層20が設けられていない。したがって、前記間欠部20cにセンス電流の分流を防止でき、再生出力の向上、磁気的な静電破壊に対する強度向上を図ることができ、また素子中央部の膜厚が減少することにより狭ギャップ化を図ることが可能である。また、フリー磁性層14の磁化方向が形状異方性によって前記トラック幅方向に配向しているため、磁化配向手段を設ける必要がなく、素子の構造および製法を簡単にすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
外部からの磁界に応じて内部の磁化方向が変化するフリー磁性層と、内部の磁化方向が固定されている固定磁性層と、前記フリー磁性層と前記固定磁性層との間に介在する非磁性材料層と、交換結合により前記固定磁性層内の磁化を固定する反強磁性層とを有する磁気検出素子において、 前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、および前記固定磁性層は、第1の方向の長さ寸法が前記第1の方向と直交する第2の方向の幅寸法よりも長く形成されて、前記フリー磁性層の内部磁化の向きは形状異方性によって前記第1の方向へ優先されており、 前記固定磁性層は、前記非磁性材料層に接する第2の磁性層と中間層と第1の磁性層とが積層されたもので、前記反強磁性層は、前記第1の方向に所定間隔の間欠部を介して前記第1の磁性層に接しており、 前記交換結合により前記第1の磁性層内の磁化の方向が前記第1の方向と交叉する方向に固定され、さらに前記第2の磁性層内の磁化の方向が前記第1の磁性層と反平行状態に設定され、 前記間欠部での、前記フリー磁性層の磁化の方向と前記固定磁性層内の磁化の方向とで電気抵抗が変化することを特徴とする磁気検出素子。
IPC (5件):
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
FI (6件):
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
Fターム (7件):
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5E049AA04 ,  5E049AB09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02
引用特許:
審査官引用 (6件)
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