電子シェーディングダメージの測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265918
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた半導体プロセスにおける電子シェーディングダメージの測定に関し、サンプルの作成コストが低く、かつ十分な精度を与えることのできる電子シェーディングダメージ測定方法を提供する。【解決手段】 Ti(O)N層とWSi2 層の積層の上に高密度パターンと低密度パターンを有するレジストパターンを形成する。低密度パターンで積層のエッチングを終了した後、HBr単独、ハロゲン系ガス+酸素ガス、フッ素系ガスのいずれかによるプラズマを所望の時間長行い、電子シェーディングダメージを与える。このプラズマ処理ではTi(O)N層はほとんどエッチングされない。電子シェーディングダメージは、MNOSキャパシタのフラットバンド電圧の変化によって測定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に導電層/窒化膜/酸化膜を積層した第1キャパシタ構造に強制的に電流を流し、注入電荷量に対するフラットバンド電圧の変化を測定した特性曲線を準備する工程と、半導体基板上に導電層/窒化膜/酸化膜を積層した第2キャパシタ構造を準備する工程と、前記第2キャパシタ構造上に開口を有する絶縁層を前記半導体基板上に形成し、その上にTiNまたはTiONの下層とマイクロローディング効果を生じる導電体の上層を含み、前記開口で前記導電層に接続される導電性のアンテナ層を形成し、その上に低密度パターン領域と高密度パターン領域を含む絶縁性マスクパターンを形成したサンプルを形成する工程と、第1のプラズマによるドライエッチング工程であって、低密度パターン領域においてアンテナ層がなくなるまでエッチングする第1エッチング工程と、第1エッチング工程に続いて、ハロゲン含有ガスと酸素との混合ガス、HBr、フッ素系ガスのいずれかのプラズマによるプラズマ処理を行う工程と、ウエットエッチングにより高密度パターン領域に残る導電性アンテナ層のうち、少なくともTiNまたはTiONの下層をエッチングする第2エッチング工程と、前記プラズマ処理工程前後の前記第2キャパシタ構造のフラットバンド電圧を測定し、その変化を算出する工程と、前記特性曲線を用いて、得られたフラットバンド電圧の変化から前記プラズマ処理で前記第2キャパシタ構造に注入された電荷量を推定する工程とを含む電子シェーディング効果の測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/66 N , H01L 21/66 Z , H05H 1/46 A , H01L 21/302 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-217569 出願人：富士通株式会社
表面処理方法および表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-067364 出願人：株式会社日立製作所
表面処理方法および表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-293688 出願人：株式会社日立製作所

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