CVD窒化酸化シリカム層の後処理を備えるSiON/TEOS層間誘電体の形成のためのプロセス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584523
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530887
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】テトラエチルオルソシリケート(TEOS)酸化物および窒化酸化シリコン(SiON)エッチストップ層を含む層間誘電体が、集積回路製造において使用されるように形成される。SiON層は、トランジスタおよび/または配線層を含み得る半導体基板上に堆積される。SiON層は、TEOS層の分解の前に加熱される。SiON層の加熱は、TEOS堆積中形成される欠陥の数を大きく低減する。それにより、非常にコンフォーマルで高品質の層間誘電体が形成される。

請求項（抜粋）：

層間誘電体を形成するための方法であって、半導体トポグラフィの上に窒化酸化シリコン層(24)を形成するステップと、前記窒化酸化シリコン層のベーク(2)を行なうステップと、前記窒化酸化シリコン層の上に酸化物層(30)を形成するステップとを特徴とする、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , C23C 16/30 , C23C 16/56 , H01L 21/768 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/318 M , H01L 21/318 C , C23C 16/30 , C23C 16/56 , H01L 29/78 301 N , H01L 21/90 K

Fターム (103件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH30 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033NN06 , 5F033PP06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX00 , 5F033XX02 , 5F033XX05 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BH02 , 5F058BH04 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK27 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC09 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CC15 , 5F140CC19 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-236894 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196397 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016502 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

全件表示

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-236894 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196397 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016502 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

全件表示

前のページに戻る