特許

J-GLOBAL ID：200903064656896934

半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ

発明者： 二本松 孝 ,  吉田 正彦 ,  佐々木 嘉則 ,  斉藤 雅仁 ,  高久 敏明 ,  加藤 忠弘
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179179
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203823
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 ウエーハの平坦度、表面粗さ及びウエーハ裏面の状態も良好となる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。および面取り、平面研削、エッチング、鏡面研磨する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程を上記のように行う半導体ウエーハの加工方法。および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。

請求項（抜粋）：

単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハに、少なくとも面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行うことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/306 B

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241101   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298012   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-082605   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平3-001537
  
• 半導体ウエーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-316290   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社