特許
J-GLOBAL ID：200903064661381209

露光方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
入口 千春

入口 千春 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091609
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277284
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 本発明は、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保した露光方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法であって、前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上から前記被加工物にフォーカス調整用のビームを照射し、前記反射膜により反射された反射光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整する露光方法により上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法であって、 前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、 前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、を備え、 前記レジスト層上から前記被加工物にフォーカス調整用のビームを照射し、前記反射膜により反射された反射光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整することを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G02B7/28
FI (2件)：
H01L21/30 528 ,  G02B7/11 M
Fターム (4件)：
2H051AA10 ,  2H051BB27 ,  5F046BA09 ,  5F046DA14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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