特許
J-GLOBAL ID：200903064692787599
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243931
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】凸状の蓄積電極と、この蓄積電極の表面を覆うように形成されたキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に形成された蓄積電極とを含むスタック型のキャパシタセルにおいて、蓄積電極の上端部の鋭角なコーナーでの電界集中を抑制する。【解決手段】凸状の蓄積電極と、この蓄積電極の表面を覆うように形成されたキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に形成された蓄積電極とを含むスタック型のキャパシタセルを具備する半導体装置において、前記蓄積電極の蓄積表面と前記キャパシタ絶縁膜との間に、該キャパシタ絶縁膜と異なる絶縁体材料から構成された蓄積電極キャップ膜が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された凸状の下部電極と、この下部電極の表面を覆うように形成されたキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極とを含むキャパシタセルを具備する半導体装置において、前記下部電極の上面の少なくとも端部と前記キャパシタ絶縁膜との間に、絶縁材料から構成された少なくとも1層のキャップ膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 651
5F083AD22
, 5F083AD24
, 5F083JA06
, 5F083JA14
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA01
, 5F083PR05
, 5F083PR21
, 5F083PR36
, 5F083PR38
, 5F083PR39
, 5F083PR40
