特許
J-GLOBAL ID：200903064727938404

AlGaN結晶層の形成方法

発明者：
小坂 圭

小坂 圭 について

, 
角谷 茂明

角谷 茂明 について

, 
柴田 智彦

柴田 智彦 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-076490
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235769
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】表面平坦性の優れたAlGaN結晶層を作製する方法を提供する。【解決手段】面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、AlGaN層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なAlGaN層を形成することができる。特に、テンプレート基板の表面層が第1のAlN層からなる場合であれば、600°C以下の形成温度でTMAとTMGの混合ガスを、TMAに対するTMGの混合比を3/17以上6/17以下の範囲で供給して第2のAlN層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
所定の単結晶基材上に、第1のAlN層を形成することによってテンプレート基板を作製する第1AlN層形成工程と、 前記第1のAlN層の上に、第2のAlN層を形成する第2AlN層形成工程と、 前記第2のAlN層の上に、AlGaN層を形成するAlGaN層形成工程と、 を備え、 前記第1AlN層形成工程においては実質的に原子レベルで平坦な表面を有するとともに面内圧縮応力が作用するように前記第1のAlN層を形成し、 前記第2AlN層形成工程においては前記第1のAlN層よりも面内圧縮応力が緩和されてなるように前記第2のAlN層を形成し、 前記AlGaN層形成工程においては1000°C以上の形成温度で前記AlGaN層を形成する、 ことを特徴とするAlGaN結晶層の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (15件)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM