特許
J-GLOBAL ID：200903008636258039

ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
田中 光浩

田中 光浩 について

, 
秩父 重英

秩父 重英 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078485
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282434
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】ベースとなる基板の種類によらず、ZnO系膜を高結晶品質の下に作製することのできるZnO系膜エピタキシャル成長用基板、及びこれに使用するZnO系膜エピタキシャル成長用下地基板を提供する。【解決手段】所定の単結晶材料からなる基材1上に、少なくともAlを含むIII族窒化物膜2をエピタキシャル成長させて形成し、このIII族窒化物膜2上にZnO系膜をエピタキシャル成長させて形成することによってZnO系膜エピタキシャル成長用基板10を作製する。基材1とIII族窒化物膜2とは、ZnO系膜エピタキシャル成長用下地基板5を構成する。
請求項（抜粋）：
単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長された、少なくともAlを含むIII族窒化物膜と、このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたZnO系膜とを具えることを特徴とする、ZnO系膜エピタキシャル成長用基板。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (26件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA59 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052GC06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM