特許
J-GLOBAL ID：200903064736922170

半導体装置及びその製造方法

発明者：
高井 信行

高井 信行 について

, 
鈴木 琢也

鈴木 琢也 について

, 
塚田 雄二

塚田 雄二 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045448
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303452
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法において、その歩留まりの向上を図る。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板10の最上層の第2の配線層22(例えばアルミニウムから成る)上に形成された反射防止層23A(例えばチタン合金から成る)の一部をエッチングして除去する工程と、反射防止層23A及びそれが形成されていない第2の配線層22の一部上を覆い、かつ第2の配線層22の他の一部を露出する開口部24を有したパッシベーション層25Aを形成する工程と、ダイシングにより半導体基板10を複数の半導体チップに分離する工程と、を含む。これにより、開口部24内で反射防止層23Aが露出しなくなり、従来例にみられたような第2の配線層22と反射防止層23Aとの電池反応による第2の配線層22の溶出を抑止することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体チップと、 前記半導体チップに形成された配線層と、 前記配線層の一部上に形成された反射防止層と、 前記配線層及び反射防止層を覆うパッシベーション層と、を備え、 前記パッシベーション層は、前記反射防止層の端部を露出させずに前記配線層の一部を露出する開口部を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/88 R ,  H01L21/60 301P
Fターム (20件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18 ,  5F044EE08 ,  5F044EE21
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ボンディングパッド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-323786   出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (7件)
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