発光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046139
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【目的】ローコストで高機能のパッケージ構造を有する発光半導体装置を提供する。【解決手段】発光半導体装置のパッケージ構造は、絶縁基板と、発光ダイオードとを備え、前記発光ダイオードは基板と、第1電極領域を備え、前記基板上に形成される第1形態半導体層と、第2電極領域を備え前記第1形態半導体層上に形成される第2形態半導体層と、前記第1電極領域に形成される第1電極と、第2電極領域に形成される第2電極を備える。本発明は、フリップチップの方法を用いて発光ダイオードを絶縁基板上に固定し、絶縁基板の両端の側面上に二つの電極層を設けて表面実装を可能にする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、基板と、表面に第1電極領域が設けられ、前記基板に形成される第1形態半導体層と、表面に第2電極領域が設けられ、前記第1電極領域を覆わないように前記第1形態半導体層に形成される第2形態半導体層と、前記第1電極領域に形成される第1電極と、前記第2電極領域に形成される第2電極と、を有する発光ダイオードと、を備え、前記絶縁基板の上表面上には、二つのはんだ突起が設けられ、前記発光ダイオードの前記第1電極と前記第2電極が前記二つのはんだ突起を介してそれぞれ前記絶縁基板と接続し、前記絶縁基板の両端の側面に、それぞれ上下に前記絶縁基板の上表面と下表面まで伸びる二つの電極層がそれぞれ設けられ、前記絶縁基板の上表面に伸ばされた前記二つの電極層が、前記二つのはんだ突起を介して前記発光ダイオードの前記第1電極と前記第2電極とそれぞれ電気接続されていることを特徴とする発光半導体装置。

Fターム (13件)：

5F041AA37 , 5F041AA47 , 5F041CA40 , 5F041CA91 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA34 , 5F041DA35 , 5F041DB03 , 5F041DC03 , 5F041DC23

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028840 出願人：日亜化学工業株式会社
特許第6184544号
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305484 出願人：シャープ株式会社

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