特許
J-GLOBAL ID：200903048040108147
結晶薄膜基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256036
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077287
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 支持基板が高温に曝されることを防止して、支持基板として使用できる材料の範囲拡大を可能にする。【解決手段】 この製造方法は、結晶基板2に水素イオンまたはヘリウムイオン4を注入する注入工程(図1A)と、次いで結晶基板2のイオン注入面6を結晶基板2の自重で基板台18に押圧した状態で、結晶基板2を加熱してイオン注入位置8にボイドを形成するボイド形成工程(図1B)と、次いで結晶基板2のイオン注入面6に支持基板10を接着材を用いて接着する接着工程(図1C)と、次いで結晶基板2と支持基板10とを結晶基板2中のイオン注入位置8で剥離させて、支持基板10上に結晶薄膜12を得る剥離工程(図1D)とを備えている。
請求項（抜粋）：
支持基板上に結晶薄膜を形成した構造の結晶薄膜基板を製造する方法において、シリコンまたはその化合物から成る結晶基板に水素イオンまたはヘリウムイオンを注入する注入工程と、次いで前記結晶基板のイオン注入面を支持基板以外の押圧手段で押圧した状態で、当該結晶基板を加熱して前記イオンの注入位置にボイドを形成するボイド形成工程と、次いで前記結晶基板のイオン注入面に支持基板を接着材を用いて接着する接着工程と、次いで前記結晶基板と前記支持基板とを前記結晶基板中の前記イオンの注入位置で剥離させて、前記支持基板上に結晶薄膜を得る剥離工程とを備えることを特徴とする結晶薄膜基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/265 Q
5F052AA11
, 5F052DA01
, 5F052HA06
, 5F052JA09
, 5F052JA10
, 5F052KB00
