半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336233
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164863
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】電界効果トランジスタにおいて、ゲートフィンガーを有し、入力抵抗RGを低減し、スイッチングスピードの向上を実現すると同時に、オン抵抗の低減化を実現した半導体装置および半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体基板a上のエピタキシャル層bに設けたPウェル領域に溝を形成し、この溝内にゲートフィンガー領域を形成する。その上部をソース電極層で覆う。この構造では、ゲートフィンガー領域を溝内に形成することにより、ゲートフィンガー領域の幅を縮小することができ、その分有効トランジスタのセル数を増やすことができる。また、ソースアルミ層hが、ゲートフィンガー領域上でも途切れることなく形成されていることから、ソースアルミ層h自体の抵抗を低減できる。そしてゲートフィンガー上にもソースワイヤを打つことが可能になり、本数を増やすことも可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に構成された溝と、該溝内に形成されたゲートフィンガーと、を有して構成されたことを特徴とする半導体装置。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 653 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置,及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070708 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-012562
特開昭61-209368

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審査官引用 (5件)

半導体装置,及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070708 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-012562
特開昭61-209368

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