分布抵抗を低減する厚い金属レイヤを有する縦形パワーMOSFET及びその製作方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353916
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255911
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は縦形パワートランジスタのオン抵抗を事実上低減することである。【解決手段】縦形パワートランジスタのオン抵抗は、デバイス内の個別トランジスタセルとのコンタクト形成に慣用的に使用される比較的薄い金属レイヤの上端に厚い金属レイヤを形成することによって事実上低減される。厚い金属レイヤは好ましくはパッシベーションレイヤ内に形成される開口を介して薄い金属レイヤ上に無電解メッキされる。

請求項（抜粋）：

半導体物質よりなるダイと、前記ダイ上に配列された複数個のトランジスタセルであって、該セルの各々は前記ダイ表面付近に位置づけられた第1の領域と制御要素とを含有し、前記第1の領域と前記表面から分離された箇所に位置づけられた第2の領域との間に電気流を許容するように配置され、前記電流の大きさは前記制御要素に印加される電気信号によって制御される該トランジスタセルと、前記セルの各々の前記第1の領域と電気的コンタクトにある薄い金属レイヤと、前記薄い金属レイヤ上に沈積形成され前記第1の領域との間に低抵抗パスを形成する厚い金属レイヤとを設けてなる縦形パワートランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/321 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 652 M , H01L 21/92 604 C , H01L 21/92 604 B , H01L 29/78 653 B , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 656 A , H01L 29/78 658 J

引用特許：

審査官引用 (33件)

特開昭60-225467
特開平1-238174
特開平4-111324

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