特許
J-GLOBAL ID：200903064892602151
ダイヤモンド膜およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143980
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081589
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンド膜形成時の核発生を簡便な手法で再現性よくかつ効率的に行なうことにより、緻密で表面平坦性の高い良質なダイヤモンド膜を提供する。【解決手段】 酸性溶液中に分散させた平均粒径が0.1μm以下のダイヤモンド粒子を、超音波振動、電圧印加などの手段により、シリコンまたは立方晶シリコンカーバイドからなる表面に1平方センチメートル当たり1×1010個以上の分布密度を有するように配置し、このダイヤモンド粒子を成長核としてプラズマCVD法によりダイヤモンド膜を形成した。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたダイヤモンド膜であって、1平方センチメートル当たり1×1010個以上の密度の成長核から形成されたことを特徴とするダイヤモンド膜。
IPC (6件)：
C30B 29/04
, C23C 16/02
, C23C 16/26
, C25D 13/02
, H01L 21/205
, H01L 21/314
C30B 29/04 Q
, C23C 16/02
, C23C 16/26
, C25D 13/02 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/314 A
