特許

J-GLOBAL ID：200903064907384857

CMP用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法

発明者： 小川 一幸 ,  数野 淳 ,  中森 雅彦 ,  下村 哲生 ,  山田 孝敏
出願人/特許権者： 東洋ゴム工業株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  山本 宗雄 ,  西下 正石
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-001194
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197408
出願日： 2004年01月06日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】被研磨体の研磨後の面内均一が十分に図られるCMP用研磨パッドを提供すること。【解決手段】硬質発泡ポリウレタンでなるCMP用研磨パッド1において、研磨面が円形の内側領域2と内側領域を取り囲むドーナツ形の外側領域3とを有し、気泡密度は内側領域2の方が外側領域3よりも大きく、アスカーD硬度は外側領域3及び内側領域2共に45〜70であり、両者の硬度差が3以下である、CMP用研磨パッド。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

硬質発泡ポリウレタンでなるCMP用研磨パッドにおいて、研磨面が円形の内側領域と内側領域を取り囲むドーナツ形の外側領域とを有し、気泡密度は内側領域の方が外側領域よりも大きく、アスカーD硬度は外側領域及び内側領域共に45〜75であり、両者の硬度差が3以下である、CMP用研磨パッド。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622F ,  B24B37/00 C

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 研磨方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270267   出願人：株式会社日立製作所
• 特許第3425216号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 半導体基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-101749   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体ウエハ研磨パッド及び半導体ウエハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-117767   出願人：東洋紡績株式会社, 東洋ゴム工業株式会社
• 化学機械研磨(CMP)ツールで用いる研磨パッドの窓
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-501623   出願人：スピードファム-アイピーイーシーコーポレイション