試料処理装置用プロセスモニタ及び試料処理装置の制御方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060995
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260978
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理装置の状態変化を正確に捉える監視システムを提供する。【解決手段】センサを介して処理装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区分に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、前記データ選択手段により選択された処理区分に属するモニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部と、前記処理装置において処理された複数の試料に関して得られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表示設定コントローラとを備えたプロセスモニタ。

請求項（抜粋）：

センサを介して処理装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区分に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、前記データ選択手段により選択された処理区分に属するモニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部と、前記処理装置において処理された複数の試料に関して得られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表示設定コントローラとを備えたことを特徴とするプロセスモニタ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/02 Z , H01L 21/205

Fターム (6件)：

5F045AF03 , 5F045BB20 , 5F045GB06 , 5F045GB07 , 5F045GB08 , 5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体デバイス製造プロセスの処理状況をモニタするための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-106763 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プロセスモニタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-202407 出願人：三菱電機株式会社
顕微鏡像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052417 出願人：株式会社ニコン

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