パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155322
公開番号（公開出願番号）：特開2008-309878
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法を提供する。【解決手段】(ア)酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、(イ)前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、保護膜組成物による保護膜を形成する工程、(ウ)液浸媒体を介して露光する工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像を行う工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記レジスト膜上に保護膜組成物による保護膜を形成する工程、 (ウ)液浸媒体を介して露光する工程、及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像を行う工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/32 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/32 , G03F7/004 515 , G03F7/039 601 , G03F7/11 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 570 , H01L21/30 575

Fターム (31件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD07 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA02 , 2H025DA03 , 2H025DA34 , 2H025FA16 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H096GA09 , 2H096JA08 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046JA22 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (15件)

特開昭57-153433号公報
弗素化ポリマー、フォトレジストおよびミクロ平版印刷のための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-524696 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008136 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (5件)

浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-193666 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
特開昭59-045439
化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-047429 出願人：富士通株式会社

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