特許
J-GLOBAL ID：200903020203925626

レジストパターン形成方法

発明者：
塩原 英志

塩原 英志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-340590
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109146
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】液浸型露光装置を用いた場合に、常に安定したレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】被加工膜が形成された半導体基板(S)上にレジスト膜(R)を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズ(1)との間を液体(2)で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜(R1)を前記レジスト膜上に形成する工程を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工膜が形成された半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズとの間を液体で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、 前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜を前記レジスト膜上に形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38
FI (6件)：
H01L21/30 575 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 565 ,  H01L21/30 515D ,  H01L21/30 514E
Fターム (15件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA01 ,  2H025DA02 ,  2H025FA01 ,  2H096AA25 ,  2H096CA20 ,  2H096DA10 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA18 ,  2H096JA02 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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