半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241267
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057212
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。半導体基板の外周近傍において、保護絶縁膜の剥離を防止する。【解決手段】半導体基板上に、第1の金属配線21と第2の金属配線22とからなる多層配線が形成され、金属配線間にメタル層間絶縁膜としてのフッ素化ケイ酸塩ガラス膜3が形成され、最上層のフッ素化ケイ酸塩ガラス膜3上に、保護絶縁膜としてのシリコン窒化膜5が形成される。そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜3とシリコン窒化膜5との間に、例えばP-SiO膜、P-SiON膜、またはPE-SiO膜からなる接着層4が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される多層の金属配線と、前記金属配線間に形成されるメタル層間絶縁膜としてのフッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、最上層の前記フッ素化ケイ酸塩ガラス膜の上に形成される保護絶縁膜としてのシリコン窒化膜と、前記最上層のフッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、前記シリコン窒化膜との間に形成される接着層と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/318 C , H01L 21/90 K , H01L 21/302 N , H01L 21/306 D

Fターム (43件)：

5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EB03 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM01 , 5F033QQ54 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033SS11 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033XX12 , 5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043GG10 , 5F058BA10 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH11 , 5F058BH12 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-081066 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-245235 出願人：日本電気株式会社
特開平4-039934

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