特許

J-GLOBAL ID：200903064961043798

銅合金スパッタリングターゲット

発明者： 森 暁
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102996
公開番号（公開出願番号）：特開2002-294437
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】ターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合する際に、結晶粒成長が小さい銅合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】V,Nb,Mn,Fe,Co,Niの内のグループから選ばれた1種以上の成分とSc,Al,Y,Crの内のグループから選ばれた1種以上の成分との合計が0.005〜0.5質量%となるように含み、酸素:0.1〜5ppmを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるスパッタリングターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合させてなるバッキングプレート付き銅合金スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

V,Nb,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Mgの内のグループから選ばれた1種以上の成分とSc,Al,Y,Crの内のグループから選ばれた1種以上の成分との合計が0.005〜0.5質量%となるように含み、酸素:0.1〜5ppmを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (12件)：

4K029BA21 ,  4K029BC01 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  4K029DC22 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345394   出願人：株式会社東芝
• 拡散接合スパッターターゲットアセンブリとそれを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-592462   出願人：トーソーエスエムディー,インク.
• 金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118953   出願人：同和鉱業株式会社
• スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187592   出願人：株式会社日鉱マテリアルズ