特許
J-GLOBAL ID：200903065006978622
イオンビーム加工装置及び試料加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-224070
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059516
出願日： 2007年08月30日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。【解決手段】ガスイオン源11から引き出されたイオンビーム12を試料31に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム12を通過させてイオンビーム12の断面を成形する開口15a〜15cを有するマスク15と、ガスイオン源11に印加する加速電圧及びマスク15の動作を制御するイオンビームカラム制御部18とを備え、イオンビームカラム制御部18は、マスク15の開口15b,15cに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム12を投射して試料31又は試料片50を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料31又は試料片50の観察面にイオンビーム12を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
試料を搭載する試料ホールダと、
ガスイオン源と、
前記ガスイオン源から引き出されたイオンビームを前記試料ホールダ上の試料に導くイオンビーム光学系と、
イオンビームを通過させてイオンビームの断面を成形する開口を有するマスクと、
前記ガスイオン源に印加する加速電圧及び前記マスクの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記ガスイオン源から引き出されたイオンビームを前記マスクの開口に通して断面を成形し、断面を成形した高速加工用のイオンビームを投射して試料又は試料片を加工する手順と、
前記高速加工用のイオンビームに比較して前記ガスイオン源に印加する加速電圧を下げ、加工後の試料又は試料片の観察面にイオンビームを投射して観察面のダメージ層を除去する手順と
を実行可能であることを特徴とするイオンビーム加工装置。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, H01J 37/30
, H01L 21/66
, G01N 1/28
, H01J 37/20
H01J37/317 D
, H01J37/30 Z
, H01L21/66 P
, G01N1/28 F
, G01N1/28 G
, H01J37/20 G
2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052CA03
, 2G052CA46
, 2G052DA33
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052FD06
, 2G052GA34
, 4M106AA01
, 4M106BA03
, 4M106CA38
, 4M106CA51
, 4M106DB05
, 4M106DJ38
, 5C001AA05
, 5C001AA06
, 5C001BB07
, 5C001CC08
, 5C034DD09
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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