特許
J-GLOBAL ID：200903018144329777

荷電ビーム装置及び荷電ビーム加工方法

発明者：
武藤 博幸

武藤 博幸 について

, 
石谷 亨

石谷 亨 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-008702
公開番号（公開出願番号）：特開2007-193977
出願日： 2006年01月17日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】加速電圧を下げたSTEM観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。【解決手段】仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、STEM像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオンビームを発生させると共に集束させ試料上を走査させるイオン光学系と、電子ビームを発生させると共に集束させ前記試料上を走査させる電子光学系と、前記試料を透過した電子を検出する透過電子検出器と、前記試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、前記試料を配置する試料保持機構と、各ユニットを制御する制御部とを具備する荷電ビーム装置において、 仕上げ加工に用いる前記イオンビームのエネルギーは主加工に用いる前記イオンビームのエネルギーよりも低いエネルギーであり、かつ前記仕上げ加工に用いる前記イオンビームの前記試料への入射角は前記主加工に用いる前記イオンビーム前記試料への入射角とは異なる角度に設定可能であることを特徴とする荷電ビーム装置。
IPC (7件)：
H01J 37/30 ,  H01J 37/20 ,  G01N 23/04 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/28
FI (8件)：
H01J37/30 Z ,  H01J37/20 Z ,  G01N23/04 ,  G01N1/28 F ,  G01N1/32 B ,  G01N1/28 G ,  H01J37/317 D ,  H01J37/28 C
Fターム (35件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA09 ,  2G001BA06 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001DA06 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001GA13 ,  2G001HA13 ,  2G001JA07 ,  2G001JA13 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA12 ,  2G001QA01 ,  2G001RA04 ,  2G001RA20 ,  2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC14 ,  2G052EC16 ,  2G052GA34 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01 ,  5C001CC04 ,  5C033UU09 ,  5C034AA02 ,  5C034AA09 ,  5C034AB04 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (12件)
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