半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231192
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083071
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの設計目的に応じて電流阻止層にどのような材料を用いたばあいでも、内部ストライプ型の電流阻止層の形成後にAlGaInPからなる第2クラッド層を再成長するばあいに良好な結晶がえられ、特性の優れた半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザを構成する上下クラッド層2、4、6、活性層3および電流阻止層5の少なくとも上部第2クラッド層6と接する部分が組成式:(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1:yは約0.5)で表される化合物半導体からなっていて、xは、各層ごとに、上下クラッド層では0<x≦1、活性層では0≦x<1、電流阻止層の上部第2クラッド層と接する部分では0<x≦0.75の範囲内で所定値をとる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の上部第1クラッド層、ストライプ状の開口部を有する第1導電型の電流阻止層および第2導電型の上部第2クラッド層が、順次積層されてなり、前記下部クラッド層、活性層、上部第1および第2クラッド層および前記電流阻止層の少なくとも前記上部第2クラッド層と接する部分の各々が、組成式:(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>ln<SB>1-y</SB>P(xは、下部および上部第1、第2クラッド層においては0<x≦1、活性層においては0≦x<1、電流阻止層の上部第2クラッド層と接する部分においては0<x≦0.75の各範囲内で層ごとに所定の値、yは約0.5)で表される化合物半導体で構成される半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106289 出願人：松下電子工業株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-272789 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338193 出願人：シャープ株式会社

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