特許
J-GLOBAL ID：200903065073906113

フォトマスクの製造方法

発明者：
須田 秀喜

須田 秀喜 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244898
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048808
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 速いエッチング速度を維持でき、かつサイドエッチが少なく高精度のパターニングが可能となり、信頼性の高い良好なフォトマスクを製造できるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 酸素(O2 )および4弗化炭素(CF4 )に3弗化メタン(CHF3 )を添加してなる混合ガスによるドライエッチングによって、ハーフトーン型位相シフトマスクの光半透過部(薄膜パターン)を形成する。
請求項（抜粋）：
金属およびシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフォトマスクの製造方法において、少なくとも下記のA群およびB群の各々の中から選ばれる1種以上のガスを主たる構成要素とする混合ガスによるドライエッチングによって前記薄膜パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。A群...CF4 ,SF6 ,CCl4B群...H2 ,CHF3 ,C2 F6 ,C3 F8 ,C4 F8 ,CH2 F2
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (9件)
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